深圳新闻网 > 视频 > 微电影 > 芯片制作工艺需追赶世界潮流 加倍努力
随着科技的发展,在半导体设计制造方面,各相关厂商相继突破制造工艺,提高市场竞争力。2012年初,富士通半导体宣布交付其为中小型IC设计公司量身定制的55nm创新工艺制程(可兼容65nmIP、性能堪比40nm工艺),一度引发中国IC设计业的震动。而在日前于重庆举办的“中国集成电路设计业2012年会暨重庆集成电路跨越发展高峰论坛”上,富士通半导体又一次带来惊喜,率先将已经量产的成熟28nm先进工艺和设计服务带给中国高端SoC设计业者。“55nm创新工艺制程(CS250L和CS250S)推出后中国客户的反馈非常好,这和我们当初推出时的定位策略有关,如55nmtransistor不变,65nmIP可以重用等,这使得以前65nm客户可以很容易导入55nm制程。现在已经有2至3家消费类电子的用户在使用了,预计明年初将会有3个Tapeout。”富士通半导体ASIC/COT业务市场部副经理刘哲女士介绍说。如果说高性价比的55nm创新工艺制程是为了一解处于激烈竞争中的本土中小客户IC设计之“渴”,那么此次富士通半导体带来的成熟已经量产的28nm半导体制造技术则是为帮助中国IC设计业应对高端先进制程SoC设计挑战而生。当半导体制程进入40nm工艺节点以后,成本成为高端SoC设计企业面临的第一只“拦路虎”。如下图2所示为32nm/28nm及22nm/20nm工艺制程投资的各项费用,其中32nm/28nm工艺的收支平衡(Breakeven)为30-40Munits,而22nm/20nm工艺的Breakeven更高达60-100Munits,这样高的半导体制造成本不只掐住了中小IC业者的喉咙,也成为高端SoC设计厂商的巨大压力。再加上IP方面不菲的投资以及整合验证,财务风险可谓巨大。虽然迈向尺寸更小的工艺节点实现了集成度和性能优势,但是设计和制造的复杂度也相应成倍增加,这成为高端SoC设计企业面临的第二只“拦路虎”。有关人士分析道:“28nm使得一切都变得非常复杂:Doublepatterning、Newinterconnectlayers、Difficultdesignrules、Devicevariation、Newtransistors等等。而曾经存在于半导体制造工艺中的诸如成本、产量、上市时间、盈利能力、可预测能力、低功耗(面积)、复杂性等各种问题现在也依然存在,不只存在,当工艺尺寸不断缩小,还会使问题变得更加糟糕。”虽然迈向尺寸更小的工艺节点实现了集成度和性能优势,但是设计和制造的复杂度也相应成倍增加,这成为高端SoC设计企业面临的第二只“拦路虎”。刘哲分析道:“28nm使得一切都变得非常复杂:Doublepatterning、Layout-dependenteffects、Newinterconnectlayers、Difficultdesignrules、Devicevariation、Newtransistors等等。而曾经存在于半导体制造工艺中的诸如成本、产量、上市时间、盈利能力、可预测能力、低功耗(面积)、复杂性等各种问题现在也依然存在,不只存在,当工艺尺寸不断缩小,还会使问题变得更加糟糕。”此外,不要忘记:Multi-sourceIP、混合信号和RF、3D-IC方法、系统级封装等这些新的设计方法也会使SoC设计面临更多的挑战。在世界范围内,富士通半导体在40/28nm高端制程上的设计能力相比其他设计公司具有很大优势,并且富士通半导体在28nmIP上也处于领先位置。和TSMC的密切合作是富士通半导体在28nm上的优势之一。“富士通半导体在TSMC的28nm工艺上的Tapeout数量也是名列前茅的,这使我们在对工艺制程的管理、优化方面积累了大量经验。”有关人士介绍说例如刚开始的28nm工艺可能会有一些良率(yield)不稳定的问题,通过和TSMC的项目合作,富士通提高了量产的良率,包括稳定良率,在这方面取得了非常大的成果,这也是其若干客户先进设计项目能够量产的一个很重要因素。“量产与否,在半导体设计和制造领域是有质的区别的。现在市场上宣称有28nm项目的设计服务厂商不少,但真正拥有能够进入量产的28nm设计经验的可以说是寥寥无几。而富士通半导体此次宣布的成熟已经量产的28nm创新工艺技术(CS450HP、CS450G、CS450LP)正是为了将先进的高端ASIC方案和设计服务带给中国厂商,以填补国内市场在这个领域的空白。”有关人士表示。但不可否认的是,在工艺制程上虽然国内引入了富士通的28nm制造工艺,但和世界其它一流厂商的最高制造工艺还是有差别。其中英特尔公司明年则会采用22纳米工艺。到2014年,英特尔计划将芯片工艺降至14纳米(理论最低值为10纳米)级别,通过这种措施,便可在相同体积内实现更高的性能。例如,在尺寸相同的情况下,14纳米工艺的芯片将达到28纳米工艺的两倍。国内需要在芯片制造领域取得更多的突破,在掌握现在制造工艺的基础上,进一步研发高精芯片制造工艺。
推荐: 刘仪伟《我说的都是真的》锁定愚 《红海行动》发布推广曲 女兵演 守护古村落文化之魂-新新人类- 助推北部山区“绿色崛起”蔡依林
播放次数:
内容摘要
随着科技的发展,在半导体设计制造方面,各相关厂商相继突破制造工艺,提高市场竞争力。2012年初,富士通半
标签:
来源:未知时间:2019-11-08 11:12作者:admin
本文网址:http://www.szzymybj.com/weidianying/170355.html
最新推荐
热门排行